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电子元器件基础知识——半导体器件

一、 中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、pin型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：
**部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管
**部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：a-n型锗材料、b-p型锗材料、c-n型硅材料、d-p型硅材料。表示三极管时：a-pnp型锗材料、b-npn型锗材料、c-pnp型硅材料、d-npn型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。p-普通管、v-微波管、w-稳压管、c-参量管、z-整流管、l-整流堆、s-隧道管、n-阻尼管、u-光电器件、k-开关管、x-低频小功率管(f<3mhz,pc<1w)、g-高频小功率管（f>3mhz,pc<1w）、d-低频大功率管（f<3mhz,pc>1w）、a-高频大功率管（f>3mhz,pc>1w）、t-半导体晶闸管（可控整流器）、y-体效应器件、b-雪崩管、j-阶跃恢复管、cs-场效应管、bt-半导体特殊器件、fh-复合管、pin-pin型管、jg-激光器件。
第四部分：用数字表示序号
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号
例如：3dg18表示npn型硅材料高频三极管

日本半导体分立器件型号命名方法
二、日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：
**部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
**部分：日本电子工业协会jeia注册标志。s-表示已在日本电子工业协会jeia注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。a-pnp型高频管、b-pnp型低频管、c-npn型高频管、d-npn型低频管、f-p控制极可控硅、g-n控制极可控硅、h-n基极单结晶体管、j-p沟道场效应管、k-n 沟道场效应管、m-双向可控硅。
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会jeia登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会jeia登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志。a、b、c、d、e、f表示这一器件是原型号产品的改进产品。

美国半导体分立器件型号命名方法
三、美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：
**部分：用符号表示器件用途的类型。jan-军级、jantx-特军级、jantxv-超特军级、jans-宇航级、（无）-非**品。
**部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。
第三部分：美国电子工业协会（eia）注册标志。n-该器件已在美国电子工业协会（eia）注册登记。
第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。
第五部分：用字母表示器件分档。a、b、c、d、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：jan2n3251a表示pnp硅高频小功率开关三极管，jan-军级、2-三极管、n-eia 注册标志、3251-eia登记顺序号、a-2n3251a档。

四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：
**部分：用字母表示器件使用的材料。a-器件使用材料的禁带宽度eg=0.6~1.0ev 如锗、b-器件使用材料的eg=1.0~1.3ev 如硅、c-器件使用材料的eg>1.3ev 如砷化镓、d-器件使用材料的eg<0.6ev 如锑化铟、e-器件使用复合材料及光电池使用的材料
**部分：用字母表示器件的类型及主要特征。a-检波开关混频二极管、b-变容二极管、c-低频小功率三极管、d-低频大功率三极管、e-隧道二极管、f-高频小功率三极管、g-复合器件及其他器件、h-磁敏二极管、k-开放磁路中的霍尔元件、l-高频大功率三极管、m-封闭磁路中的霍尔元件、p-光敏器件、q-发光器件、r-小功率晶闸管、s-小功率开关管、t-大功率晶闸管、u-大功率开关管、x-倍增二极管、y-整流二极管、z-稳压二极管。
第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。a、b、c、d、e┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：
1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的**部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母a、b、c、d、e分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀**部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母v，代表小数点，字母v之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的*大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出*大反向峰值耐压值和*大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
如：bdx51-表示npn硅低频大功率三极管，af239s-表示pnp锗高频小功率三极管。

五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法
欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。
**部分：o-表示半导体器件
**部分：a-二极管、c-三极管、ap-光电二极管、cp-光电三极管、az-稳压管、rp-光电器件。
第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。
第四部分：a、b、c┄┄-表示同一型号器件的变型产品。
俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少，在此不介绍。

一、半导体二极管参数符号及其意义
ct---势垒电容
cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
cjv---偏压结电容
co---零偏压电容
cjo---零偏压结电容
cjo/cjn---结电容变化
cs---管壳电容或封装电容
ct---总电容
ctv---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的**变化之比
ctc---电容温度系数
cvn---标称电容
if---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压vf下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的*大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的*大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
if（av）---正向平均电流
ifm（im）---正向峰值电流（正向*大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的*大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
ih---恒定电流、维持电流。
ii--- 发光二极管起辉电流
ifrm---正向重复峰值电流
ifsm---正向不重复峰值电流（浪涌电流）
io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
if(ov)---正向过载电流
il---光电流或稳流二极管极限电流
id---暗电流
ib2---单结晶体管中的基极调制电流
iem---发射极峰值电流
ieb10---双基极单结晶体管中发射极与**基极间反向电流
ieb20---双基极单结晶体管中发射极向电流
icm---*大输出平均电流
ifmp---正向脉冲电流
ip---峰点电流
iv---谷点电流
igt---晶闸管控制极触发电流
igd---晶闸管控制极不触发电流
igfm---控制极正向峰值电流
ir（av）---反向平均电流
ir（in）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压vr时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波*高反向工作电压下的漏电流。
irm---反向峰值电流
irr---晶闸管反向重复平均电流
idr---晶闸管断态平均重复电流
irrm---反向重复峰值电流
irsm---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）
irp---反向恢复电流
iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流
izk---稳压管膝点电流
iom---*大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向*大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的*大工作电流
izsm---稳压二极管浪涌电流
izm---*大稳压电流。在*大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
if---正向总瞬时电流
ir---反向总瞬时电流
ir---反向恢复电流
iop---工作电流
is---稳流二极管稳定电流
f---频率
n---电容变化指数；电容比
q---优值（品质因素）
δvz---稳压管电压漂移
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
pb---承受脉冲烧毁功率
pft（av）---正向导通平均耗散功率
pftm---正向峰值耗散功率
pft---正向导通总瞬时耗散功率
pd---耗散功率
pg---门极平均功率
pgm---门极峰值功率
pc---控制极平均功率或集电极耗散功率
pi---输入功率
pk---*大开关功率
pm---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的*大功率
pmp---*大漏过脉冲功率
pms---*大承受脉冲功率
po---输出功率
pr---反向浪涌功率
ptot---总耗散功率
pomax---*大输出功率
psc---连续输出功率
psm---不重复浪涌功率
pzm---*大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的*大功率
rf（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△v，正向电流相应增加△i，则△v/△i称微分电阻
rbb---双基极晶体管的基极间电阻
re---射频电阻
rl---负载电阻
rs(rs)----串联电阻
rth----热阻
r(th)ja----结到环境的热阻
rz(ru)---动态电阻
r(th)jc---结到壳的热阻
r δ---衰减电阻
r(th)---瞬态电阻
ta---环境温度
tc---壳温
td---延迟时间
tf---下降时间
tfr---正向恢复时间
tg---电路换向关断时间
tgt---门极控制极开通时间
tj---结温
tjm---*高结温
ton---开通时间
toff---关断时间
tr---上升时间
trr---反向恢复时间
ts---存储时间
tstg---温度补偿二极管的贮成温度
a---温度系数
λp---发光峰值波长
△ λ---光谱半宽度
η---单结晶体管分压比或效率
vb---反向峰值击穿电压
vc---整流输入电压
vb2b1---基极间电压
vbe10---发射极与**基极反向电压
veb---饱和压降
vfm---*大正向压降（正向峰值电压）
vf---正向压降（正向直流电压）
△vf---正向压降差
vdrm---断态重复峰值电压
vgt---门极触发电压
vgd---门极不触发电压
vgfm---门极正向峰值电压
vgrm---门极反向峰值电压
vf（av）---正向平均电压
vo---交流输入电压
vom---*大输出平均电压
vop---工作电压
vn---中心电压
vp---峰点电压
vr---反向工作电压（反向直流电压）
vrm---反向峰值电压（*高测试电压）
v（br）---击穿电压
vth---阀电压（门限电压）
vrrm---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
vrwm---反向工作峰值电压
v v---谷点电压
vz---稳定电压
△vz---稳压范围电压增量
vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压
av---电压温度系数
vk---膝点电压（稳流二极管）
vl ---极限电压
二、双极型晶体管参数符号及其意义
cc---集电极电容
ccb---集电极与基极间电容
cce---发射极接地输出电容
ci---输入电容
cib---共基极输入电容
cie---共发射极输入电容
cies---共发射极短路输入电容
cieo---共发射极开路输入电容
cn---中和电容（外电路参数）
co---输出电容
cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容
coe---共发射极输出电容
coeo---共发射极开路输出电容
cre---共发射极反馈电容
cic---集电结势垒电容
cl---负载电容（外电路参数）
cp---并联电容（外电路参数）
bvcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压
bvceo---基极开路，ce结击穿电压
bvebo--- 集电极开路eb结击穿电压
bvces---基极与发射极短路ce结击穿电压
bv cer---基极与发射极串接一电阻，ce结击穿电压
d---占空比
ft---特征频率
fmax---*高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率
hfe---共发射极静态电流放大系数
hie---共发射极静态输入阻抗
hoe---共发射极静态输出电导
h re---共发射极静态电压反馈系数
hie---共发射极小信号短路输入阻抗
hre---共发射极小信号开路电压反馈系数
hfe---共发射极小信号短路电压放大系数
hoe---共发射极小信号开路输出导纳
ib---基极直流电流或交流电流的平均值
ic---集电极直流电流或交流电流的平均值
ie---发射极直流电流或交流电流的平均值
icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的vcb反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流
iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压vce条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压veb条件下，发射极与基极之间的反向截止电流
icer---基极与发射极间串联电阻r，集电极与发射极间的电压vce为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流
ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压vce条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压vce下，集电极与发射极之间的反向截止电流
icm---集电极*大允许电流或交流电流的*大平均值。
ibm---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的*大值，或交流电流的*大平均值
icmp---集电极*大允许脉冲电流
isb---二次击穿电流
iagc---正向自动控制电流
pc---集电极耗散功率
pcm---集电极*大允许耗散功率
pi---输入功率
po---输出功率
posc---振荡功率
pn---噪声功率
ptot---总耗散功率
esb---二次击穿能量
rbb'---基区扩展电阻（基区本征电阻）
rbb'cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积
rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻
roe---发射极接地，在规定vce、ic或ie、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻
re---外接发射极电阻（外电路参数）
rb---外接基极电阻（外电路参数）
rc ---外接集电极电阻（外电路参数）
rbe---外接基极-发射极间电阻（外电路参数）
rl---负载电阻（外电路参数）
rg---信号源内阻
rth---热阻
ta---环境温度
tc---管壳温度
ts---结温
tjm---*大允许结温
tstg---贮存温度
td----延迟时间
tr---上升时间
ts---存贮时间
tf---下降时间
ton---开通时间
toff---关断时间
vcb---集电极-基极（直流）电压
vce---集电极-发射极（直流）电压
vbe---基极发射极（直流）电压
vcbo---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的*高耐压
vebo---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的*高耐压
vceo---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的*高耐压
vcer---发射极接地，基极与发射极间串接电阻r，集电极与发射极间在指定条件下的*高耐压
vces---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的*高耐压
vcex---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的*高耐压
vp---穿通电压。
vsb---二次击穿电压
vbb---基极（直流）电源电压（外电路参数）
vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）
vee---发射极（直流）电源电压（外电路参数）
vce(sat)---发射极接地，规定ic、ib条件下的集电极-发射极间饱和压降
vbe(sat)---发射极接地，规定ic、ib条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）
vagc---正向自动增益控制电压
vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值
v n---噪声电压
cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
cjv---偏压结电容
co---零偏压电容
cjo---零偏压结电容
cjo/cjn---结电容变化
cs---管壳电容或封装电容
ct---总电容
ctv---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的**变化之比
ctc---电容温度系数
cvn---标称电容
if---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压vf下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的*大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的*大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
if（av）---正向平均电流
ifm（im）---正向峰值电流（正向*大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的*大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
ih---恒定电流、维持电流。
ii--- 发光二极管起辉电流
ifrm---正向重复峰值电流
ifsm---正向不重复峰值电流（浪涌电流）
io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
if(ov)---正向过载电流
il---光电流或稳流二极管极限电流
id---暗电流
ib2---单结晶体管中的基极调制电流
iem---发射极峰值电流
ieb10---双基极单结晶体管中发射极与**基极间反向电流
ieb20---双基极单结晶体管中发射极向电流
icm---*大输出平均电流
ifmp---正向脉冲电流
ip---峰点电流
iv---谷点电流
igt---晶闸管控制极触发电流
igd---晶闸管控制极不触发电流
igfm---控制极正向峰值电流
ir（av）---反向平均电流
ir（in）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压vr时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波*高反向工作电压下的漏电流。
irm---反向峰值电流
irr---晶闸管反向重复平均电流
idr---晶闸管断态平均重复电流
irrm---反向重复峰值电流
irsm---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）
irp---反向恢复电流
iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流
izk---稳压管膝点电流
iom---*大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向*大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的*大工作电流
izsm---稳压二极管浪涌电流
izm---*大稳压电流。在*大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
if---正向总瞬时电流
ir---反向总瞬时电流
ir---反向恢复电流
iop---工作电流
is---稳流二极管稳定电流
f---频率
n---电容变化指数；电容比
q---优值（品质因素）
δvz---稳压管电压漂移
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
pb---承受脉冲烧毁功率
pft（av）---正向导通平均耗散功率
pftm---正向峰值耗散功率
pft---正向导通总瞬时耗散功率
pd---耗散功率
pg---门极平均功率
pgm---门极峰值功率
pc---控制极平均功率或集电极耗散功率
pi---输入功率
pk---*大开关功率
pm---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的*大功率
pmp---*大漏过脉冲功率
pms---*大承受脉冲功率
po---输出功率
pr---反向浪涌功率
ptot---总耗散功率
pomax---*大输出功率
psc---连续输出功率
psm---不重复浪涌功率
pzm---*大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的*大功率
rf（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△v，正向电流相应增加△i，则△v/△i称微分电阻
rbb---双基极晶体管的基极间电阻
re---射频电阻
rl---负载电阻
rs(rs)----串联电阻
rth----热阻
r(th)ja----结到环境的热阻
rz(ru)---动态电阻
r(th)jc---结到壳的热阻
r δ---衰减电阻
r(th)---瞬态电阻
ta---环境温度
tc---壳温
td---延迟时间
tf---下降时间
tfr---正向恢复时间
tg---电路换向关断时间
tgt---门极控制极开通时间
tj---结温
tjm---*高结温
ton---开通时间
toff---关断时间
tr---上升时间
trr---反向恢复时间
ts---存储时间
tstg---温度补偿二极管的贮成温度
a---温度系数
λp---发光峰值波长
△ λ---光谱半宽度
η---单结晶体管分压比或效率
vb---反向峰值击穿电压
vc---整流输入电压
vb2b1---基极间电压
vbe10---发射极与**基极反向电压
veb---饱和压降
vfm---*大正向压降（正向峰值电压）
vf---正向压降（正向直流电压）
△vf---正向压降差
vdrm---断态重复峰值电压
vgt---门极触发电压
vgd---门极不触发电压
vgfm---门极正向峰值电压
vgrm---门极反向峰值电压
vf（av）---正向平均电压
vo---交流输入电压
vom---*大输出平均电压
vop---工作电压
vn---中心电压
vp---峰点电压
vr---反向工作电压（反向直流电压）
vrm---反向峰值电压（*高测试电压）
v（br）---击穿电压
vth---阀电压（门限电压）
vrrm---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
vrwm---反向工作峰值电压
v v---谷点电压
vz---稳定电压
△vz---稳压范围电压增量
vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压
av---电压温度系数
vk---膝点电压（稳流二极管）
vl ---极限电压
三、场效应管参数符号意义
cds---漏-源电容
cdu---漏-衬底电容
cgd---栅-源电容
cgs---漏-源电容
ciss---栅短路共源输入电容
coss---栅短路共源输出电容
crss---栅短路共源反向传输电容
d---占空比（占空系数，外电路参数）
di/dt---电流上升率（外电路参数）
dv/dt---电压上升率（外电路参数）
id---漏极电流（直流）
idm---漏极脉冲电流
id(on)---通态漏极电流
idq---静态漏极电流（射频功率管）
ids---漏源电流
idsm---*大漏源电流
idss---栅-源短路时，漏极电流
ids(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）
ig---栅极电流（直流）
igf---正向栅电流
igr---反向栅电流
igdo---源极开路时，截止栅电流
igso---漏极开路时，截止栅电流
igm---栅极脉冲电流
igp---栅极峰值电流
if---二极管正向电流
igss---漏极短路时截止栅电流
idss1---对管**管漏源饱和电流
idss2---对管**管漏源饱和电流
iu---衬底电流
ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）
gfs---正向跨导
gp---功率增益
gps---共源极中和高频功率增益
gpg---共栅极中和高频功率增益
gpd---共漏极中和高频功率增益
ggd---栅漏电导
gds---漏源电导
k---失调电压温度系数
ku---传输系数
l---负载电感（外电路参数）
ld---漏极电感
ls---源极电感
rds---漏源电阻
rds(on)---漏源通态电阻
rds(of)---漏源断态电阻
rgd---栅漏电阻
rgs---栅源电阻
rg---栅极外接电阻（外电路参数）
rl---负载电阻（外电路参数）
r(th)jc---结壳热阻
r(th)ja---结环热阻
pd---漏极耗散功率
pdm---漏极*大允许耗散功率
pin--输入功率
pout---输出功率
ppk---脉冲功率峰值（外电路参数）
to(on)---开通延迟时间
td(off)---关断延迟时间
ti---上升时间
ton---开通时间
toff---关断时间
tf---下降时间
trr---反向恢复时间
tj---结温
tjm---*大允许结温
ta---环境温度
tc---管壳温度
tstg---贮成温度
vds---漏源电压（直流）
vgs---栅源电压（直流）
vgsf--正向栅源电压（直流）
vgsr---反向栅源电压（直流）
vdd---漏极（直流）电源电压（外电路参数）
vgg---栅极（直流）电源电压（外电路参数）
vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）
vgs(th)---开启电压或阀电压
v（br）dss---漏源击穿电压
v（br）gss---漏源短路时栅源击穿电压
vds(on)---漏源通态电压
vds(sat)---漏源饱和电压
vgd---栅漏电压（直流）
vsu---源衬底电压（直流）
vdu---漏衬底电压（直流）
vgu---栅衬底电压（直流）
zo---驱动源内阻
η---漏极效率（射频功率管）
vn---噪声电压
aid---漏极电流温度系数
ards---漏源电阻温度系数