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semikron赛米控igbt模块的命名规则 -2024德国欧洲杯官网
日期：2022-08-27 07:12
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摘要：
举例： skm100gb123d
sk
sk表示semikron的igbt
m
表示应用技术或者模块结构：
m——表示采用mos技术
d——表示七单元模块（即互相整流桥 1cbt斩波器）
100
表示集电极电流等级，条件tcase =25℃时的ic，单位为a
g
表示igbt开关
b
表示线路的类型或者特点：
a——表示线路为单只开...
| 举例： skm100gb123d | |
| sk | sk表示semikron的igbt |
| m |
表示应用技术或者模块结构： m——表示采用mos技术 d——表示七单元模块（即互相整流桥 1cbt斩波器） |
| 100 | 表示集电极电流等级，条件tcase =25℃时的ic，单位为a |
| g | 表示igbt开关 |
| b |
表示线路的类型或者特点： a——表示线路为单只开关 al——表示线路为斩披器模块（即igbt 集电极端续流二极管） ar——表示线路为斩波器模块（即 1gbt 发射极端续流二极管） ah——表示线路为非对称h 桥 ax——表示线路为单只igbt 集电极端串联二极管（反向阻断） ay——表示线路为单只igbt 发射极端串联二极管（反向阻断） b——表示线路为两单元模块（半桥） bd——表示线路为两单元模块（半桥） 串联二极管（反向阻断） d——表示线路为六单元（三相桥） dl——表示线路为七单元（三相桥 al斩波器） h——表示线路为单相全桥 m——表示线路为两只lgbt在集电极端相连 |
| 12 | 表示集电极与发射极间电压等级( vce为型号中的数字×100，例如12× 100v= 1200v= vce) |
| 3 |
表示igbt的系列号： 0——表示第1代产品（1988 ~ 1991 年，集电极额定电流为tcase =80℃时的值） 1、2——表示笫l代产品（1992~1996 年，集电极额定电流为tcase =25℃时的值。600v产品为集电极i额定电流tcase =80℃时的值 3——表示第2代产品（600v与1200v为高密度npt型igbt。1700v为第1代npt型igbt cal二极管。600v产品为集电极额定电流为tase=80℃时的值。1200v与1700v产品为集电极额定电流为tcase=25℃时的值 4——表示高密度、低饱和压降npt型igbt( 1200v、i700v) 5——表示高密度、高速npt型lgbt(600v、1200v) 6——表示沟道式npt型igbt |
| d |
表示为特点： d-表示快速恢复二极管 k——表示semikron五号外壳带螺栓端予 l——表示六单元外壳带焊接端子 s——表示集电极检测端子 i——表示加强的反向二极管（高功率输出） |
赛米控的igbt的命名方法与规律2见表2。
| 举例： sk 100 g b 12 3× | |
| sk | sk 表示semikron的igbt |
| 100 | 表示集电极电流等级，条件tcase= 25℃时的ic，单位为a。 |
| g |
表示应用技术或者模块结构： g——表示igbt开关 m——表示mosfet开关 |
| b |
表示线路的类型或者特点： a——表示线路为单只开荚 al——表示线路为斩波器模块（即 igbt 集电极端续流二极管） ar——表示线路为斩波器模块（即 igbt 发射极端续流二极管） ah——表示线路为非对称h 桥 b——表示线路为两单元模块（半桥） bd——表示线路为两单元模块（半桥） 串联二极管（反向阻断） d——表示线路为六单元（三相桥） h——表示线路为单相全桥 |
| 12 | 表示集电极与发射极闯电压等级（vce为绝号中的数字×100，例如1×100v =1200v= vce.） |
| 3 |
表示igbt的系列号： 2——表示pt型（仅600v产品） 3——表示高密度npt型产品 4——表示高密度、低饱和压降 npt型icbt 5——表示高密度、高速npt型igbt |
| × | 特点（没有定义） |